GaN E-HEMT器件特性及其应用研究——2016年电气论坛第14次活动成功举行

发布日期:2016-11-01来源:热博rb88体育官网发布者:系统管理员访问量:341

2016年10月30日下午,GaN Systems全球工程经理陈迪应邀到热博rb88体育官网进行关于GaN E-HEMT器件特性及其应用研究的学术讲座。报告地点在热博rb88体育官网玉泉校区教二405会议室。热博rb88体育官网对氮化镓感兴趣的研究生及本科高年级同学参加了此次活动。
氮化镓作为新型的宽禁带半导体材料,有着传统器件无法比拟的物理和高速开关特性,迎合了电力电子业界对未来功率转换设备节能,高效率高功率密度的发展方向,正受到学术界和工业领域的广泛关注。本次讲座陈迪经理介绍GaN Systems的氮化镓GaN E-HEMT的基本器件原理和开关性能,具体讨论针对高速GaN器件驱动电路和相关应用的设计要点,并通过一些现有的应用实例分析氮化镓在不同应用设计中的优势和对系统性能的提升。
 
讲座进行到下午4点左右时,进入互动提问环节。很多同学对GaN的技术十分感兴趣,提出了很多精彩的问题,陈迪经理一一进行了详细耐心的解答,现场气氛十分活跃。整个过程中,同学们认真听讲,积极互动,全程无一人提前离席,大家都感觉受益匪浅。
 
通过此次电气论坛活动,大家对GaN的特性有了更加深刻的认识,在实际设计电路中将会更好地发挥出GaN的优良特性。为电力电子朝着高频高效率高功率密度方向的发展注入了新的动力。
 
 (文/图 杨雁勇)